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G100 Silmatソケット(大電流ソケット)

G100 Silmatソケット(大電流ソケット)

[PHOENIX TEST ARRAYS]
超低インダクタンスで優れたRF性能のカスタム製品なので、ハンドテスト/評価に向いており、その電気特性により大電流ソケットや超高速ソケットとしても利用可能です。
ターゲットアプリケーションは、RF/超高速/ハイパワー/大電流/Diamond Part. Replace/特性評価。

電気特性

インサーションロス/ 周波数(corner) > 90 GHz @ -1.0 db
自己インダクタンス(field) 0.06 nH
相互インダクタンス(field) 0.01 nH
自己キャパシタンス(field) 0.06 pF
相互キャパシタンス(field) 0.01 pF
接触抵抗(初期) < 25 mΩ
熱抵抗(@1ピン) 54.1 K/W
許容電流(連続@1ピン) 10 amps @ 3.8°C上昇
許容電流(パルス@1%DutyCycle, @1ピン) > 20 amps @ 3.8°C上昇
  • (@0.5mmピッチ, 実測データ, SPICEモデル, Sパラメータ等各種資料に基づきます。)

機械特性

コンタクト長さ(テスト時) 0.2 mm
最小ピッチ 0.35 mm – 複合ピッチ可能
対応パッケージ LGA, QFN, DFN – 全てのピン配列に対応
コンタクト構造 ゴールドコンタクトセットインターポーザー
ゴールドコンタクトセット材質 銅、下地ニッケル金メッキ(バイアス無し)
ストローク コンタクト先端から最大0.05mm
コンタクト荷重(@1ピン) > 45グラム
操作温度 -55°C ~ +155°C
コンタクトライフ* 1,000 ~ 100,000サイクル
  • 仕様、検証データ、実測データ等各種資料に基づきます。
  • *コンタクトライフは、パッケージ、基板、ストローク量、異物、テスト内容、テスト環境、取扱い、保守レベルなどを含む多くの要因に影響を受けるので、この値は変わり場合があります。
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