質量分析やイオン光学用途に適した低リップル・高安定度の高精度モジュール電源。省スペースや信頼性のある動作を必要とする用途に最適で、ショートやアーク発生時でも確実に機能します。正極または負極性出力の単極モデルから4象限出力モジュールまで、多くの機能と特徴を持ったシリーズが各種揃っています。
シリーズ名 | 出力電力 | 出力電圧 | 特徴 | 製品イメージ |
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MSS![]() |
5W | 50V~20kV | ・リップル(pp):<0.02% ・温度係数:300ppm/℃ ・安定度:<300ppm/時間 ・電磁放射低減のためにケースで遮蔽 |
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MSQ![]() |
85W | ±430V~±1.35kV | ・4出力 ・リップル(pp):<0.05% ・安定度:0.25%/時間 ・保護:出力端子ごとに独立して保護 ・電磁放射低減のためにケースで遮蔽 |
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MSP![]() |
10W | 1kV~20kV | ・低リップル:<10mV ~ <200mV ・温度係数:25ppm/℃(オプション:10ppm/℃) ・安定度:<0.01%/時間、0.05%/8時間 ・電磁放射低減のためにケースで遮蔽 |
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MSRL![]() |
10W | ±1kV~±20kV | ・リップル:<10mV ~ <200mV ・温度係数:25ppm/℃(オプション:10ppm/℃) ・安定度:<0.01%/時間、0.05%/8時間 ・リバーシブルなラッチ出力 ・電磁放射低減のためにケースで遮蔽 |
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MSRZ![]() |
3.2W | ±1V~±10kV | ・温度係数:25ppm/℃ ・安定度:<0.01%/時間、0.05%/ 8時間 ・リバーシブルな出力 ・素早い切換えスピード ・4象限出力 ・0クロスで制御可 ・電磁放射低減のためにケースで遮蔽 |
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MSRF![]() |
3.2W | ±2.5V~±10kV | ・温度係数:25ppm/℃(オプション:10ppm/℃) ・安定度:<0.01%/時間、0.05%/8時間 ・リバーシブルな出力 ・素早い切換え ・電磁放射低減のためにケースで遮蔽 ・差動プログラミンング入力 |
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MSRD![]() |
バイアス 1.8W検出12W |
バイアス0~±12kV 検出0~+3kV |
・リップル:<200mV(バイアス/検出回路共) ・温度係数:25ppm/℃(バイアス)、 300ppm/℃(検出回路)オプションで更に低減可 ・安定度:<100ppm(バイアス) ・フローティング検出回路:1.2W ・4象限出力(バイアス出力) ・0クロスで制御可(バイアス出力) |
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EG353![]() |
SEM E-BEAM用 高安定統合電源 |
加速電源: -35kV, 200uA |
・モジュール型または19インチラックマウント型電源 の2バージョン ・低リップル:<1.6ppm(加速電源) ・高安定度:<10ppm(加速電源) ・加速電源:-35kV, 200uA,50mVリップル ・ エキストラクタ電源:+10kV,400uA,30mVリップル (フローティング) ・ サプレッサ電源:-1kV, 100uA,30mVリップル (フローティング) ・ ヒータ電源:5V@3A電流制御、低リップル (LF <1mApp)(フローティング) |
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