質量分析やイオン光学用途に適した低リップル・高安定度の高精度モジュール電源。省スペースや信頼性のある動作を必要とする用途に最適で、ショートやアーク発生時でも確実に機能します。正極または負極性出力の単極モデルから4象限出力モジュールまで、多くの機能と特徴を持ったシリーズが各種揃っています。
| シリーズ名 | 出力電力 | 出力電圧 | 特徴 | 製品イメージ |
|---|---|---|---|---|
MSS |
5W | 50V～20kV | ・リップル(pp)：<0.02% ・温度係数：300ppm/℃ ・安定度：＜300ppm/時間 ・電磁放射低減のためにケースで遮蔽 |
 |
| MSQ |
85W | ±430V～±1.35kV | ・4出力 ・リップル(pp)：<0.05% ・安定度：0.25%/時間 ・保護：出力端子ごとに独立して保護 ・電磁放射低減のためにケースで遮蔽 |
 |
| MSP |
10W | 1kV～20kV | ・低リップル：<10mV ～ ＜200mV ・温度係数：25ppm/℃(オプション：10ppm/℃） ・安定度：＜0.01%/時間、0.05%/8時間 ・電磁放射低減のためにケースで遮蔽 |
 |
| MSRL |
10W | ±1kV～±20kV | ・リップル：<10mV ～ ＜200mV ・温度係数：25ppm/℃(オプション：10ppm/℃） ・安定度：＜0.01%/時間、0.05%/8時間 ・リバーシブルなラッチ出力 ・電磁放射低減のためにケースで遮蔽 |
 |
| MSRZ |
3.2W | ±1V～±10kV | ・温度係数：25ppm/℃ ・安定度：＜0.01%/時間、0.05%/ 8時間 ・リバーシブルな出力 ・素早い切換えスピード ・4象限出力 ・0クロスで制御可 ・電磁放射低減のためにケースで遮蔽 |
 |
| MSRF |
3.2W | ±2.5V～±10kV | ・温度係数：25ppm/℃(オプション：10ppm/℃） ・安定度：＜0.01%/時間、0.05%/8時間 ・リバーシブルな出力 ・素早い切換え ・電磁放射低減のためにケースで遮蔽 ・差動プログラミンング入力 |
 |
| MSRD |
バイアス 1.8W検出12W |
バイアス0～±12kV 検出0～+3kV |
・リップル：<200mV（バイアス/検出回路共） ・温度係数：25ppm/℃（バイアス）､ 300ppm/℃（検出回路）オプションで更に低減可 ・安定度：＜100ppm（バイアス） ・フローティング検出回路：1.2W ・4象限出力（バイアス出力） ・0クロスで制御可（バイアス出力） |
 |
| EG353 |
SEM E-BEAM用 高安定統合電源 |
加速電源： -35kV, 200uA |
・モジュール型または19インチラックマウント型電源 の2バージョン ・低リップル：<1.6ppm（加速電源） ・高安定度：<10ppm（加速電源） ・加速電源：-35kV, 200uA,50mVリップル ・ エキストラクタ電源：+10kV,400uA,30mVリップル （フローティング） ・ サプレッサ電源：-1kV, 100uA,30mVリップル （フローティング） ・ ヒータ電源：5V＠3A電流制御、低リップル （LF <1mApp）（フローティング） |
 |
