G100 Silmatコンタクトシステム
超低インダクタンスで優れたRF性能があり、ハンドテスト/評価に向いています。
ターゲットアプリケーションは、RF/高速/ハイパワー/
Diamond Part. Replace。
電気特性
インサーションロス/ 周波数(corner) | > 90 GHz @ -1.0 db |
自己インダクタンス(field) | 0.06 nH |
相互インダクタンス(field) | 0.01 nH |
自己キャパシタンス(field) | 0.06 pF |
相互キャパシタンス(field) | 0.01 pF |
接触抵抗(初期) | < 25 mΩ |
熱抵抗(@1ピン) | 54.1 K/W |
許容電流(連続@1ピン) | 10 amps @ 3.8°C上昇 |
許容電流(パルス@1%DutyCycle, @1ピン) | > 20 amps @ 3.8°C上昇 |
- (@0.5mmピッチ, 実測データ, SPICEモデル, Sパラメータ等各種資料に基づきます。)
機械特性
コンタクト長さ(テスト時) | 0.2 mm |
最小ピッチ | 0.35 mm – 複合ピッチ可能 |
対応パッケージ | LGA, QFN, DFN – 全てのピン配列に対応 |
コンタクト構造 | ゴールドコンタクトセットインターポーザー |
ゴールドコンタクトセット材質 | 銅、下地ニッケル金メッキ(バイアス無し) |
ストローク | コンタクト先端から最大0.05mm |
コンタクト荷重(@1ピン) | > 45グラム |
操作温度 | -55°C ~ +155°C |
コンタクトライフ* | > 1,000 ~ 100,000サイクル |
- 仕様、検証データ、実測データ等各種資料に基づきます。
- *コンタクトライフは、パッケージ、基板、ストローク量、異物、テスト内容、テスト環境、取扱い、保守レベルなどを含む多くの要因に影響を受けるので、この値は変わり場合があります。