RFパラメータ測定器

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  Semion System

  サブストレートとイオンの相互作用の計測
  ウエハ基板表面を叩くイオンエネルギーの均一性/イオンの入射角分の均一性/イオン・ニュートラル・フラクション/イオン種（質量）の均一性を測定

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  Vertex System

  サブストレートとイオンの相互作用の計測
  ウエハ基板表面を叩くイオンエネルギーの均一性/イオンの入射角分の均一性/イオン・ニュートラル・フラクション/イオン種（質量）の均一性を測定

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  Quantum System

  サブストレートとイオンの相互作用の計測
  ウエハ基板表面を叩くイオンエネルギーの均一性/イオンの入射角分の均一性/イオン・ニュートラル・フラクション/イオン種（質量）の均一性を測定

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  Langmuir Probe

  バルクプラズマパラメータ測定
  汎用的なプローブの他に、反応し易い絶縁ガスが使用されていてもプラズマ中で使用可能なプローブ、磁束の時間変化率を測定するプローブがあります。

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  Plato Probe

  バルクプラズマパラメータ測定
  汎用的なプローブの他に、反応し易い絶縁ガスが使用されていてもプラズマ中で使用可能なプローブ、磁束の時間変化率を測定するプローブがあります。

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  - Octiv Suite

  プラズマ電力の測定
  プラズマの電力測定及びプラズマ診断を行うインラインで使用されるシステム

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  - Octiv Poly

  プラズマ電力の測定
  プラズマの電力測定及びプラズマ診断を行うインラインで使用されるシステム

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  - Octiv Mono

  プラズマ電力の測定
  プラズマの電力測定及びプラズマ診断を行うインラインで使用されるシステム

• 静電チャック

  誘電層とウエーハ間に電圧を印加し、両者の間に発生した静電気力によってウエーハを吸着する。

• 半導体製造装置

  高周波などを印加することで原料ガスをプラズマ化させ物質の薄膜を形成する蒸着法のひとつ。

• プラズマCVD/エッチング

  半導体の後工程、オートハンドラによりソケットが使われ、ファンクションテストが行われる。

• ICファイナルテスト

  半導体の後工程、オートハンドラによりソケットが使われ、ファンクションテストが行われる。

• ICエージング

  バーンイン装置でバーンインソケットを使用して信頼性試験や高温高温テストが行われる。

• 実機ボード用テストソケット

  デジタルTV用メインCPU等の実機評価での機能テストに使われる。

• 蒸着装置

  オートハンドラによりソケットが使われ、ファンクションテストが行われる。

• 検査装置

  パワーMOSFET、IGBT、ダイオード等各種パワーディバイス向けの各種電気的評価・検査装置。

• イオンポンプ

  アノード-カソード間に電圧をかけ放電が発生させ電子が気体分子と衝突してイオンを生ずる。

• イオン注入装置

  目的とする元素のイオンを発生させ、イオンを電気的に加速し、対象物であるターゲットにイオン注入する加工方法。

• 電子顕微鏡（SEM/TEM）

  電子（電子線）をあてて拡大する顕微鏡で、大きく分けて透過型電子顕微鏡（TEM)と走査型電子顕微鏡（SEM)の２種類がある。

• 露光装置

  半導体用レチクル作成に用いられ電子線を電子レンズ等を通しステージ制御しながらマスクブランクスへ照射しパターンを露光する。

• RFパラメータ測定器

  チャンバ装置のインピーダンスを測定することで、RF電源とチャンバー間の整合が容易に可能となる。

• カスタムコネクタ／インターフェイス製品

  カスタムコネクタやインターフェイス製品。スプリングプローブを含む多彩なコンタクトピン。

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